第37章 三极管

办法，不过材料研究所的正在紧锣密鼓的研究，相信过段时间就会做出突。”冰雪说道。

“嗯，小雪你们做的不错，另外注意下新，看看没有好的苗子，如果有的话好好培养一下，但是要注意笼络，不要又让他们跑了。”方浩吩咐道。

“嘻嘻，多谢夸奖，你放心吧，这些事我有注意。”冰雪嘻嘻一笑，说道。

……

机械研究所，到处是隆隆作响的机器，河陪着方浩视察着。

“我们的掺杂技术有了多少进展？”看着面前的机器，方浩问道。

“我们进展很顺利，还要感谢你的提示，我们班能这么快找到办法，目前进展速度最快的掺杂技术有两种，高温扩散掺杂和离子注掺杂，目前的进度很快，想必不需要多久就可以实现初步的量产。”河回答道。

“不要急，我们慢慢来，掺杂技术的前景很大，我们要为以后的发展打下基础，不能光赶进度。”方浩道。

“我知道，相关的数据我们一直在收集和处理。”河回道。

热扩散技术是一种比较容易的掺杂技术，想要把杂质掺半导体晶体，就需要进行较高温度的热扩散，因为杂质原子的半径一般都比较大，它们要直接进半导体晶格的间隙中去是很困难的，只有当晶体中出现有晶格空位后，杂质原子才有可能进去占据这些空位，并从而进到晶体。

为了让晶体中产生出大量的晶格空位，所以，就必须对晶体加热，让晶体原子的热运动加剧，以使得某些原子获得足够高的能量而离开晶格位置、留下空也因此原子的扩散系数随着温度的升高而指数式增大。

离子注掺杂技术是一种比较先进的技术，为了使杂质原子能够进到晶体中去，需要首先把杂质原子电离成离子，并用强电场加速、让这些离子获得很高的动能，然后再直接轰击晶体、并挤进到里面去，这就是注。

当然，采用离子注技术掺杂时，必然会产生出许多晶格缺陷，同时也会有一些原子处在间隙中，所以，半导体在经过离子注以后，还必须要进行退火处理，以消除这些缺陷和使杂质激活。

因为杂质原子要能够提供载流子，就必须处于替代si原子的位置上，这样才能产生载流子，所以在半导体中，即使掺了杂质原子，但是如果这些杂质原子没有进到替代位置，那么它们也将起不到提供载流子的作用，因此，还需要进行一定的热处理步骤，那就是激活退火。